No Image

Что представляет собой большая интегральная схема бис

0 просмотров
11 марта 2020

Большая интегральная схема (БИС) – интегральная схема (ИС) с высокой степенью интеграции (число элементов в ней достигает 10000), используется в электронной аппаратуре как функционально законченный узел устройств вычислительной техники, автоматики, измерительной техники и др.
По количеству элементов все интегральные схемы условно делят на следующие категории:
■ простые (ПИС) – с количеством элементов в кристалле до 10,
■ малые (МИС) – до 100,
■ средние (СИС) – до 1000,
■ большие (БИС) – до 10000,
■ сверхбольшие (СБИС) – 1000000,
■ ультрабольшие (УБИС) – до 1000000000,
■ гигабольшие (ГБИС) – более 1000000000 элементов в кристалле.
Интегральные микросхемы (ИМ), содержащие более 100 элементов, называют микросхемами повышенного уровня интеграции.
Использование БИС сопровождается резким улучшением всех основных показателей по сравнению с аналогичным функциональным комплексом, выполненным на отдельных ИС. Интеграция ИС на одном кристалле приводит к уменьшению количества корпусов, числа сборочных и монтажных операций, количества внешних – наименее надежных – соединений. Это способствует уменьшению размеров, массы, стоимости и повышению надежности.
Дополнительными преимуществами от интеграции ИС являются уменьшение общего количества контактных площадок, сокращение длины соединений, а также меньший разброс параметров, поскольку все ИС расположены на одном кристалле и изготовлены в едином технологическом цикле.
Опыт разработки БИС выявил также и ряд общих проблем, которые ограничивают повышение степени интеграции и которые, нужно, решать в процессе дальнейшего развития микроэлектроники:
■ проблема теплоотвода,
■ проблема межсоединений,
■ проблема контроля параметров,
■ физические ограничения на размеры элементов.
В 1964 г. впервые на базе БИС, фирма IBM выпустила шесть моделей семейства IBM 360.
Примерами БИС также могут служить схемы памяти на 4 бит и более, арифметико-логические и управляющие устройства ЭВМ, цифровые фильтры. ИС предназначены для решения самых разнообразных задач, поэтому изготовляется сочетанием методов, находящихся в арсенале полупроводниковой, тонко- и толстопленочной технологий.
ИМ принято классифицировать по способам изготовления и по получаемым при этом структурам на полупроводниковые и гибридные.
Полупроводниковая ИМ представляет собой ИС, в которой все элементы и соединения между ними выполнены в едином объеме и на единой поверхности полупроводниковой пластины.
В гибридных микросхемах пассивные компоненты (резисторы и конденсаторы) наносятся на поверхность диэлектрической пластинки, активные (транзисторы) выполняются в виде отдельных дискретных миниатюрных компонентов и присоединяются к микросхеме.

Читайте также:  Как посмотреть фото на телевизоре самсунг

Литература
1. Степаненко И. П., Основы микроэлектроники, М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2003, с. 453-460.
2. Батушев А. В., Микросхемы и их применение, М.: Радио и связь, 1984, с. 13-17.
3. Чернозубов Ю. С., Как рождаются микросхемы, М.: Просвещение, 1989, с. 14-19.

Сложная интегральная схема с большой степенью интеграции. БИС создают методами планарной технологии (от английского planar – плоский, ровный) путём формирования их элементов с одной (рабочей) стороны полупроводниковой пластины (подложки). Планарная технология основана на создании в приповерхностном слое полупроводника монокристаллической пластины областей с различным типом проводимости, в совокупности образующих структуру интегральной схемы. Такие области создаются местным введением в подложку специальных примесей. Все эти области имеют выход на одну сторону подложки, что позволяет осуществить их коммутацию в соответствии с заданной схемой при помощи плёночных металлических проводников. Наибольшее число БИС создаётся на основе МДП-структуры (металл – диэлектрик – полупроводник-структура), представляющей собой упорядоченную совокупность тонких (менее 1 мкм) слоёв металла и диэлектрика, нанесённых на полупроводниковую пластину. Применяется для создания на её основе транзисторов, конденсаторов, приборов с зарядовой связью, фотоэлектронных умножителей и др. Цифровые БИС на основе МДП-структур содержат от 1000 до 10 000 элементов.

Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском:

Лучшие изречения: При сдаче лабораторной работы, студент делает вид, что все знает; преподаватель делает вид, что верит ему. 9530 – | 7348 – или читать все.

91.146.8.87 © studopedia.ru Не является автором материалов, которые размещены. Но предоставляет возможность бесплатного использования. Есть нарушение авторского права? Напишите нам | Обратная связь.

Отключите adBlock!
и обновите страницу (F5)

очень нужно

  • В книжной версии

    Том 11. Москва, 2008, стр. 421

    Читайте также:  Microsoft xbox one s minecraft

    Скопировать библиографическую ссылку:

    ИНТЕГРА́ЛЬНАЯ СХЕ́МА (ИС, ин­те­граль­ная мик­ро­схе­ма, мик­ро­схе­ма), функ­цио­наль­но за­кон­чен­ное мик­ро­элек­трон­ное из­де­лие, пред­став­ляю­щее со­бой со­во­куп­ность элек­три­че­ски свя­зан­ных ме­ж­ду со­бой эле­мен­тов ( тран­зи­сто­ров и др.), сфор­ми­ро­ван­ных в по­лу­про­вод­ни­ко­вой мо­но­кри­стал­лич. пла­сти­не. ИС яв­ля­ют­ся эле­мент­ной ба­зой всех совр. ра­дио­элек­трон­ных уст­ройств, уст­ройств вы­числит. тех­ни­ки, ин­фор­ма­ци­он­ных и те­ле­ком­му­ни­ка­ци­он­ных сис­тем.

    Комментировать
    0 просмотров
    Комментариев нет, будьте первым кто его оставит

    Это интересно
    No Image Компьютеры
    0 комментариев
    No Image Компьютеры
    0 комментариев
    No Image Компьютеры
    0 комментариев
    No Image Компьютеры
    0 комментариев
    Adblock detector