Ост в 11 0998 99 микросхемы

ДЛЯ КОМПЛЕКТОВАНИЯ РЭА

Особенности ЭКБ космического назначения


Высокие требования к гарантированной надёжности (безотказная работа 15
лет и более)


Гарантированная стойкость к ВВФ космического пространства


Расширенный температурный диапазон (от
–
60 до +125)


Поддержка производства в течение длительного срока


Крайне малая серийность (от десятков штук)


Сжатые сроки разработки и постановки на производство


Обеспечение требований стандартов для ЭКБ космического применения на
этапах разработки и производства

ОСТ В 11 0998 «Микросхемы интегральные͘ Общие технические условия»

MIL
–
PRF
–
38535 PERFORMANCE SPECIFICATION INTEGRATED CIRCUITS
(MICROCIRCUITS) MANUFACTURING, GENERAL SPECIFICATION
FOR

Категории качества микросхем

Технология, оптимизированная по КВГ,
быстродействию, потребляемой
мощности

Радиационно
–
стойкая технология,
ориентированная на повышение надежности и
стойкости к факторам космического пространства

Сборка в
пластиковые
корпуса

Разбраковка на
пластине

Сборка в
металлокерамические
корпуса

Контроль электрических
параметров в диапазоне
температур

Контроль электрических
параметров по

Обеспечение качества микросхем при
комплектовании РЭА отечественными БИС

Выбор или разработка конструктивно
–
технологического базиса,
обеспечивающего требуемые параметры и условия эксплуатации

Обеспечение качества на стадии разработки

Обеспечение качества на стадии производства

Дополнительные отбраковочные испытания микросхем, изготовленных в
одной производственной партии

Конструктивно
–
технологические базисы

для разработки специализированных БИС

Технологический уровень 1,5 мкм

(производство НПК «Технологический центр»)


Универсальные (с включением силовых и
прецизионных элементов)͘

Технологический уровень 0,25
–

(производство ОАО «НИИМЭ и Микрон»)

Распределение токов утечки, после
радиационного воздействия 1Мрад.

Начальное распределение токов утечки, до
воздействия ионизирующего излучения.

Обеспечение качества на стадии разработки


Отказо и
сбоеустойчивые

ячейки памяти:
триггеры
троированы

и
мажорированы по выходу

в состав библиотеки функциональных ячеек
входят драйверы периферийных ячеек, обеспечивающие отключение
выходных транзисторов для измерения токов утечки


Контроль качества проекта на
тестопригодность
:
при
разработке
обеспечивается
возможность измерения статических и динамических
параметров при тестировании
микросхемы

учёт влияния температуры, напряжения питания,
разброса технологических параметров в процессе проектирования


Отработка проекта микросхемы на имитаторах в составе аппаратуры:

технология разработки БМК
–
ПЛИС
–
БМК͘

Указанные мероприятия позволяют гарантировать получение
работоспособного образца микросхемы с первой попытки

Обеспечение воспроизводимости параметров БИС

Виды испытаний (ОСТ В 11 0998):

Испытания партий пластин на устойчивость к
спецфакторам


Отбраковочные испытания в процессе изготовления

(
Пл
,
Сб
, Цех НУ, Цех Т+, Цех Т
–
, ТУ НУ, ТУ Т)

Приёмо
–
сдаточные испытания

Дополнительные отбраковочные испытания (по требованию заказчика):


входной контроль, отбраковочные испытания,

диагностический
неразрушающий контроль, выборочный разрушающий физический
анализ͘

Измерения при изготовлении БИС на БМК

Изготовление
партии базовых
пластин БМК
(25 пластин)

аттестационная
зашивка покрывает
100% ячеек, 40% окон,
испытания на рад.
стойкость, контроль

электрофизических
параметров по
тестовой полосе

Разбраковка на
пластине:

параметрический
анализ, контроль

электрофизических
параметров по
тестовой полосе

Разбраковка
после сборки:

Состав измеряемых параметров


выходные напряжения низкого и высокого уровня под нагрузкой
U
OL
,
U
OH
;


токи утечки на
выходах
в состоянии «Выключено»
I
OZL
,
I
OZH
;


токи доопределения внутренних резисторов
I
R
;

в диапазоне температур͘

Логический
проект и контрольно
–
диагностические тесты кроме проверки
функционирования и переключения максимально возможного числа
функциональных ячеек должны обеспечивать контроль перечисленных
выше параметров
.
Для этого:

в состав библиотеки функциональных ячеек
входят
драйверы
периферийных ячеек, обеспечивающие отключение выходных
транзисторов для измерения токов утечки (
Z
–
вход)

для измерения статического тока потребления в логическом проекте
реализуется
условный переход схемы в статический режим

Ужесточённые нормы электрических параметров

Цеховая норма = Норма ТУ
–

2 погрешности прибора

Норма на пластине = Норма ТУ
–

3 погрешности
прибора

Дополнительные отбраковочные испытания

При поставках микросхем для комплектации высоконадёжной
аппаратурой реализуется программа
–
методика проведения ДОИ в
соответствии со спецификацией заказчика

Дополнительные отбраковочные испытания

Микросхема предназначена для предохранения электронной
аппаратуры космических аппаратов от тиристорного эффекта,
вызванного тяжёлыми заряженными частицами и протонами

•
изготовлены опытные образцы͘

Микросхема
управления модулем
тиристорной защиты

Защищаемая
группа
микросхем

НПК «ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР»

ТЕЛЕФОН: +7 (499)
720
–
8992

СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ

2537269
Размер файла: 3 MB Загрузок: 141

Материалы по теме:

Добавить комментарий Отменить ответ

Для отправки комментария вам необходимо авторизоваться.

Название: Микросхемы интегральные. Общие технические условия. Взамен: ОСТ В 11 0398-2000; ОСТ В 11 073.012-87; ИС – разрабатываемых и модернизированных; – разрабатываемых по ТЗ, утвержденным после 01.01.2000 г. Вступил в действие: 01.01.2000 Изменения: 1/2004 Ключевые слова: микросхемы, общие технические условия, требования, правила приемки, испытания, методы, применение Страниц: 141 Описание ОСТ В 11 0998-99: Настоящий стандарт распространяется на микросхемы интегральные полупроводниковые в корпусном исполнении, предназначенные для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения всех климатических исполнений.

Стандарт определяет систему требований к микросхемам, их разработке, производству и поставке, гарантии выполнения этих требований (гарантии качества) и устанавливает общие требования и условия, соблюдение которых разработчиками и изготовителями микросхем необходимо для поставок микросхем на комплектование радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) специального назначения.

Требования к конкретным типам микросхем устанавливают в технических условиях, разрабатываемых и утверждаемых в соответствии с требованиями настоящего стандарта.

Настоящий стандарт является обязательным для предприятий-разработчиков, изготовителей микросхем всех ведомств и организаций, заказчиков и потребителей микросхем.

На стадии разработки микросхем объектом поставки является комплект конструкторской и технологической документации, обеспечивающий изготовление конкретных типов микросхем, а также набор методов и средств контроля качества проекта, включая тестовые элементы и опытные образцы.

На стадии серийного производства объектом поставки являются партии микросхем, соответствующие требованиям настоящего стандарта.

ОСТ В 11 0998-99 расположен в разделе: Классификация, номенклатура и общие нормы – Каталог ОСТ. [Открыть] Файлы документа в наличии:
ОСТ В 11 0998-99.pdf передан 04.08.2015 Документ ОСТ В 11 0998-99 предоставлен предприятием ООО «Компания АЛС и ТЕК»

На неограниченный срок Вы получаете возможность скачать любой уже имеющийся в библиотеке портала документ либо дождаться поступления еще отсутствующего документа. Благодаря системе обмена документами наша библиотека ежедневно пополняется множеством нормативных документов.

Пакетный доступ к 10 документам позволяет сэкономить на стоимости отдельного документа, которая в некоторых случаях может даже превосходить стоимость доступа к 10 документам.

Это предложение для организаций, которые заинтересованы не только в получении сотрудниками доступа к нормативной документации, но и в представлении своей продукции и услуг, а так же в продвижении своего сайта в поисковых системах. Тариф «Стандарт» предоставляет комплексный доступ к ресурсам портала, при грамотном и полном использовании которого Вы сможете получить значительный отклик в виде новых клиентов и улучшившейся посещаемости сайта организации.

В качестве бонуса в тариф «Стандарт» включен доступ к марочнику металлов и сплавов сроком на один год.

Номинальное значение напряжения питания U_CC= +5В ( +10%) (п.2.3.5 ТУ)

Механические воздействия по ОСТ В 11 0398 и ОСТ В 11 0998 (п.2.4.1 ТУ),в том числе

Параметры воздействующего фактора, единица измерения

Значение фактора

Механические факторы

1 Синусоидальная вибрация

Диапазон частот, Гц

Амплитуда ускорения, м/с 2 (g) 2 Удары одиночного действия в любом направлении Амплитуда пикового ударного ускорения, м/с 2 (g) Длительность действия ударного ускорения, мс 3 Удары многократного действия в любом направлении Амплитуда пикового ударного ускорения, м/с 2 (g) Длительность действия ударного ускорения, мс 4 Линейное ускорение в любом направлении Амплитуда линейного ускорения, м/с 2 (g) 5 Акустический шум

Читайте также: Huawei nova 3 картинки

Диапазон частот, Гц

Уровень звукового давления (относительно 0,00002 Па), дБ

Климатические воздействия по ОСТ В 11 0398 и ОСТ В 11 0998 (п.2.5 ТУ), в том числе:

повышенная рабочая температура среды +85°С

повышенная предельная температура среды + 125°С

требования к статической пыли не предъявляются

Стойкость к воздействию специальных факторов БМК Н5503ХМ1, Н5503ХМ2 и Н5503ХМ5

Характеристики И1, С1, С2 по 2У; И2 по 2У с коэффициентом 5; И3 по 2У; С3 по 1У, К1 по 1У с коэффициентом 2, К3 по 1У с коэффициентом 0,5; И8-И11 по 1У в соответствии с ГОСТ В 20 39.404, И4, И5 К*9В, где К=0,075.

Максимальный уровень характеристики И2, при котором отсутствует потеря работоспособности – 0,02·1У.

Подтверждение уровня бессбойной работы проводится по следующим критериям:

UOL ≤ 0,3*UCC, UOH ≥ 0,7*UCC ICCP ≤ 300 мА

Стойкость к воздействию специальных факторов БМК 5503БЦ7У

Микросхемы являются стойкими к воздействию специальных факторов с характеристиками 7.И1, 7.И6, 7.И7, 7.С1, 7.С4, 7.К1, 7.К4 по группам исполнения:

7.И6-5Ус, 7.И7-60·1Ус, 7.С4-0,6·1Ус, 7.К1-5·1К, 7.К4-0,3·1К.

Стойкость микросхем к воздействию специальных факторов с характеристиками 7.И1-4Ус, 7.С1-10·5Ус гарантируются конструкцией.

Требования к характеристикам 7.И4, 7.И8, 7.И10, 7.И11, 7.C3, 7.С6, 7.К3, 7.К6, 7.К9, 7.К10, 7.К11, 7.К12 не предъявляются.

Допускается в процессе и непосредственно после воздействия специальных факторов характеристики 7.И6 с уровнем 0,2·1Ус временная потеря работоспособности микросхем. По истечении 1мкс от начала воздействия работоспособность восстанавливается. Отсчет времени потери работоспособности начинается с момента спада импульса воздействия до уровня 0,5 его амплитудного значения. Критериями работоспособности являются напряжения низкого уровня UOL, напряжения высокого уровня UOH, ток потребления в статическом режиме – ICC и импульсный ток потребления -ICCP.

Контроль работоспособности проводится по низкому и высокому уровням выходных напряжений UOL ≤ 1,0В и UOH ≥ (UCC-1.5)В.

Уровень бессбойной работы по характеристике 7.И8 – не хуже группы исполнения 0,07·1Ус. Критерием работоспособности по уровню характеристики 7.И8 является функционирование с уровнями выходных напряжений UOL ≤ 0,3•UCC, UOH ≥ 0,7-UCC и ICCP ≤ 300мА.

Предельный режим эксплуатации

напряжение питания U_CC не более 7.0 В;

входное напряжение низкого уровня U_IL не менее минус 0,4 В;

входное напряжение высокого уровня U_IH не более 5,9 В;

предельная емкость нагрузки С_I не более 250 пФ.