No Image

Спинтроника основные идеи и применения

СОДЕРЖАНИЕ
1 просмотров
11 марта 2020

Спинтроника (спиновая электроника) — раздел квантовой электроники, занимающийся изучением спинового токопереноса (спин-поляризованного транспорта) в твердотельных веществах, и соответствующая инженерная область. В устройствах спинтроники, в отличие от устройств обычной электроники, энергию или информацию переносит не электрический ток, а ток спинов.

Содержание

Ферромагнитные гетероструктуры [ править | править код ]

К типичным системам, в которых возможны эффекты спинтроники, относятся, в частности, гетероструктуры ферромагнетик-парамагнетик или ферромагнетик-сверхпроводник.

В таких гетероструктурах источником спин-поляризованных электронов (спин-инжектором) является проводящий ферромагнетик (проводник или полупроводник), обладающий в намагниченном состоянии спонтанной, спиновой упорядоченностью носителей заряда; в ферромагнитных полупроводниках достигаются уровни спиновой поляризации значительно более высокие (до 100 %), чем в металлах (до 10 %). Во внешнем магнитном поле возможно зеемановское расщепление зоны проводимости в полупроводнике с формированием двух зеемановских энергетических подуровней. При инжекции спин-поляризованных электронов в такой полупроводник возможны управляемые переходы как на верхний, так и на нижний уровень, что даёт, в, частности, возможность создания инверсии населённости и, соответственно, генерации когерентного электромагнитного излучения с управлением частоты магнитным полем.

Другие эффекты возникают в джозефсоновских переходах с изолирующим ферромагнетиком: в этом случае возможно управление туннелированием с помощью внешнего магнитного поля.

Также возможно использование структур на основе силицена [1]

Спинтроника является одним из наиболее динамично развивающихся научно-технических направлений, призванным в недалеком будущем решить проблемы, с которыми сталкивается современная микроэлектроника. Термин «спинтроника» появился впервые в 1998 году в совместном сообщении лабораторий Белла и Йельского университета (США), в котором была сформулирована задача создания устройств, сохраняющих информацию в атомах вещества, где биты кодировались бы электронными спинами. Таким образом, согласно их определению, спинтроника – это научно-техническое направление, ориентированное на создание устройств, в которых для физического представления информации кроме заряда электрона используется и его спин. Согласно другим определениям, спинтроника представляет собой:

– электронику на электронных спинах, в которой не заряд электрона, а его спин является передатчиком информации, что формирует предпосылки для создания нового поколения приборов, объединяющих стандартную микроэлектронику и спин-зависимые эффекты;

– науку об управлении электрическим током в полупроводниках и гетероструктурах за счет изменения ориентации электронных и ядерных спинов в магнитных и электрических полях;

– раздел квантовой электроники, занимающийся изучением спинового токопереноса (спин-поляризованного транспорта) в твердотельных веществах, в частности в гетероструктурах ферромагнетик-парамеагнетик или ферромагнетик-сверхпроводник.

Физикам давно было известно, что электроны, перемещаясь, переносят с собой не только электрический заряд, но и свой спин, с которым связаны собственный магнитный и механический моменты электрона. Однако до недавнего времени этот факт никак не использовался, поскольку в обычных (не ферромагнитных) металлах и полупроводниках одновременно движутся множество электронов с различными случайными ориентациями спина, поэтому суммарный среднестатистический перенос спинов практически равен нулю. Даже в не намагниченных ферромагнитных металлах, в которых магнитные моменты разных доменов ориентированы случайным образом, перенос спинов был незаметным. Лишь после открытия гигантского, а также туннельного и колоссального магниторезистивных эффектов ситуация изменилась. Были разработаны магниторезистивные считывающие головки, в которых использовался открытый в 1988 году эффект гигантского магнетосопротивлении (ГМС). Появилась магниторезистивная оперативная память, которая стала еще одним подтверждением хороших перспектив спинтроники. Важную роль в становлении спинтроники сыграло и присуждение в 2007 году Нобелевской премии по физике А. Ферту (Франция) и П. Грюнбергу (Германия) за открытие эффекта ГМС.

Спиновые эффекты, связанные с спин-поляризованным транспортом электронов, возникают, когда в электропроводящем материале появляется спиновый дисбаланс заселенности уровня Ферми. Такой дисбаланс обычно присутствует в ферромагнитных материалах, у которых плотности состояний N(E) для электронов с различными спинами практически идентичны, однако эти состояния существенно различаются по энергии, как схематически показано на рис. 3.60 (здесь и далее под различными спинами электрона понимаются различные проекции спина на ось намагничивания). Без внешнего магнитного поля концентрация электронов со «спином вверх» и «спином вниз» одинаковая. В присутствии магнитного поля энергии электронов со спином по полю («спином вверх») и против поля («спином вниз») сдвигаются. В результате концентрация электронов с различной ориентацией спина вблизи энергии Ферми EF разная.

Рис. 3.60. Плотности состояний электронов с различными спинами в немагнитном (а)

и ферромагнитном (б) материалах

Заселенность энергетических уровней электронами с разным спином определяет спиновую поляризацию инжектируемых из такого материала электронов и особенности транспорта носителей заряда через него. Спиновая поляризация электронов в материале определяется как отношение разности концентраций электронов с различными спинами (n и n) к их общей концентрации. В ферромагнитных материалах максимальная спиновая поляризация может достигать нескольких десятков процентов, но есть и такие сплавы, в частности, т. н. сплавы Хейслера, у которых спиновая поляризация составляет практически 100 %.

Электрический ток в твердотельных структурах, составленных из материалов с различной спиновой поляризацией, зависит от спиновой поляризации носителей заряда и спиновой поляризации областей, через которые эти носители движутся. Электроны, инжектированные с определенным спином, могут занять в коллекторе только вакантные места с такой же ориентацией спина. Электрон, первоначально спин-поляризованный в инжектирующем электроде, по мере движения в коллекторе в силу процессов рассеяния изменяет как свой импульс, так и спин. Для практических применений важно знать, как долго электрон «помнит» свою спиновую ориентацию. В качестве характеристики «спиновой памяти» используют среднее расстояние, проходимое электроном до изменения своего спина. Это расстояние называют длиной спиновой релаксации. Оценки показывают, что ее величина превышает 100 нм.

Читайте также:  Arduino меню для дисплея

Наряду с ферромагнитными материалами значительные перспективы практического использования имеют полупроводники, легированные до высоких уровней концентации (несколько атомных процентов) магнитных примесей. Их называют разбавленными магнитными полупроводниками. Исходными материалами являются полупроводниковые соединения А 3 В 5 и А 2 В 6 , а также кремний и германий. В качестве магнитной примеси чаще всего используют марганец. В таких материалах удается получить спиновую поляризацию носителей заряда вплоть до 80 %, хотя температура Кюри для большинства исследованных разбавленных магнитных полупроводников составляет величину порядка 100 К (выше температуры Кюри, как известно, ферромагнитные свойства материала исчезают).

Следует отметить, что для приборных применений разбавленный магнитный полупроводник должен иметь не только высокую спиновую поляризацию носителей заряда, но и температуру Кюри выше комнатной, а также допускать создание областей с n- и р-типом проводимости. В кремнии n-типа спиновая поляризация электронов при комнатной температуре не превышает 5 %. Тем не менее, большая длина спиновой релаксации (для электронов она равна 230 нм, для дырок – 310 нм) делает этот традиционный в твердотельной электронике полупроводник вполне пригодным для создания на его основе электронных приборов на спиновых эффектах. Ферромагнитные свойства обнаружены также в низкоразмерных структурах из оксидов ряда металлов (ZnO, SnО2, In2О3, А12О3, TiО2). Основной причиной ферромагнетизма в них является нестехиометрия по кислороду, особенно в их приповерхностных областях толщиной около 7 – 30 нм.

В спин-поляризованных материалах состояния с преобладающим спином управляются намагниченностью этих материалов. Если внешним магнитным полем намагниченность изменяется на противоположную, то преобладающая ориентация спинов также меняется на противоположную. При инжекции спин-поляризованных электронов в материал с отличной от нуля намагниченностью, следовательно, и со спиновой поляризацией, этот материал может вести себя как проводник или как изолятор – в зависимости от направления намагниченности материала и ориентации спинов инжектированных электронов. При одинаковом направлении спинов инжектированных электронов и электронов материала обеспечивается наивысшая проводимость. Противоположное направление спинов препятствует прохождению электронов через материал.

Спиновые эффекты, используемые в спинтронных приборах, в явном виде проявляются через транспортные явления в электронных структурах, помещенных в магнитное поле. Для их реализации необходимо осуществить ориентацию спинов. Эта задача в настоящее время решается двумя способами: с помощью оптической ориентации и с использованием спиновой инжекции. Оптическая ориентация осуществляется при поглощении полупроводником света с круговой поляризацией. Напомним, что квант электромагнитного излучения (фотон) имеет спин, равный +1, если вектор напряженности электрического поля вращается по часовой стрелке, и –1 в противоположном случае. При поглощении фотона и переходе электрона из валентной зоны полупроводника в зону проводимости спин фотона прибавляется к полному моменту импульса электрона, изменяя его соответственно на +1 или –1. Это может привести в определенных условиях к различию в концентрации электронов в зоне проводимости со спином вдоль направления распространения света и с противоположным направлением.

Другим способом управления спиновой поляризацией является спиновая инжекция. Известно, что в ферромагнетиках существует спонтанная равновесная спиновая поляризация, При протекании тока между ферромагнетиком и немагнитным материалом через контакт происходит перенос спина. В результате в области немагнитного материала вблизи контакта создается избыточная концентрация электронов с ориентацией «спин вверх». Такое явление называется спиновой аккумуляцией. Это состояние является неравновесным для немагнитного проводника, поскольку в равновесном состоянии концентрации электронов со «спином вверх» и «спином вниз» равны. Процесс установления равновесного состояния должен приводить к релаксации спинов и уменьшению спиновой поляризации. Поскольку неравновесные электронные спины живут относительно долго (порядка наносекунд), спины успевают переместиться на значительное расстояние от границы с ферромагнетиком. Весь этот процесс очень напоминает процесс рекомбинации неосновных носителей при инжекции их через электронно-дырочный переход в полупроводнике.

Как уже отмечалось, огромное влияние на становление спинтроники оказал обнаруженный в 1988 году эффект гигантского магнетосопротивлении (ГМС). Было давно известно, что электрическое сопротивление материалов изменяется под действием магнитного поля. Относительное изменение сопротивления при наличии магнитного поля и при его отсутствии и называется магнетосопротивлением. В немагнитных проводниках, таких как медь или золото, влияние магнитного поля на сопротивление очень мало. В ферромагнитных материалах величина магнитосопротивления более заметна. Это объясняется тем, что в ферромагнетике в отсутствие внешнего магнитного поля имеются области спонтанной намагниченности – магнитные домены, внутри которых магнитные моменты параллельны. При включении магнитного поля, величина которого для каждого материала индивидуальна, эти микроскопические магнитные домены исчезают, и весь образец превращается в единый домен, т. е. намагничивается, что и приводит к изменению его электрического сопротивления. Однако величина магнетосопротивления в ферромагнитных материалах достигает всего лишь нескольких процентов. В случаях проявления эффекта ГМС уменьшение сопротивления под воздействием магнитного поля может достигать сотен процентов (при низких температурах).

Эффект ГМС был обнаружен в многослойных тонкопленочных структурах, составленных из чередующихся слоев немагнитного материала между противоположно намагниченными ферромагнитными материалами (рис. 3.61). Для создания таких структур используют различные комбинации материалов, например, железо-хром, кобальт-медь, пермаллой-серебро и др. Суммарный эффект зависит от количества слоев – он усиливается с ростом числа слоев и достигает своего максимума примерно для 100 слоев (при толщине каждого слоя в несколько нанометров).

Читайте также:  Batman arkham city проверка даты релиза неуспешна

Рис. 3.61. Многослойная структура из ферромагнитного и неферромагнитного материалов

при отсутствии магнитного поля (а) и при его наличии (б)

Эффект ГМС наблюдается, когда электрический ток пропускают как в плоскости слоев, так и перпендикулярно им. Рассмотрим для примера тонкопленочную структуру с плоскопараллельной геометрией протекающих токов. Ферромагнитные слои с противоположной намагниченностью могут быть получены осаждением в магнитных полях, имеющих противоположную ориентацию. В отсутствие магнитного поля сопротивление, измеряемое током, проходящим в плоскости слоев, будет самым большим, когда магнитные моменты в чередующихся слоях противоположно направлены. При этом электроны со спином, соответствующим намагниченности одного слоя, не могут перемещаться по материалу с противоположной намагниченностью, поскольку в нем отсутствуют приемлемые для них энергетические состояния. Это приводит к отражению электронов от границы таких слоев и вынуждает ток течь внутри узких каналов (рис. 3.62).

Рис. 3.62. К объяснению эффекта гигантского магнетосопротивления: АФМ – антиферромагнитная конфигурация слоев, ФМ – ферромагнитная конфигурация слоев

С увеличением напряженности внешнего магнитного поля магнетосопротивление постепенно уменьшается. Это связано с тем, что магнитное поле, которое имеет тенденцию выравнивать моменты магнитных параллельных слоев, должно преодолеть обменную связь, которая предпочитает антипараллельное расположение моментов (для данной толщины немагнитного слоя). Полное выстраивание магнитных моментов в одном направлении достигается только в области поля насыщения, равного по величине полю обменной связи. Это будет соответствовать минимальному сопротивлению структуры.

Кроме эффекта ГМС в спинтронике большое внимание уделяется другому эффекту – колоссальному магнетосопротивлению (КМС), открытому в 1994 году вманганите лантана. В отличие от ГМС здесь никаких слоистых структур создавать не требуется.Эффект наблюдается в сильных магнитных полях, достигая максимальных значений при напряженности поля на уровне единиц тесла. Явление получило свое название потому, что при определенных условиях его величина существенно превышает величину ГМС, достигая тысяч и десятков тысяч процентов. КМС обычно наблюдается в узком интервале температур вблизи температуры Кюри. Он наиболее изучен для манганитов лантана и редкоземельных элементов (R), типа R1–xAxMnO3, где через A обозначены атомы K, Na, Ag, Ca, Sr, Ba, Pb. Однако, в последнее время его наблюдали и для некоторых других сложных оксидов переходных металлов. Материалы с КМС могут быть использованы для создания датчиков магнитного поля и функциональных элементов спинтроники.

Важным направлением спинтроники является создание приборных структур, принцип действия которых основан на явлении магнитного туннельного перехода. Туннелирование между двумя по-разному намагниченными ферромагнитными слоями, разделенными тонким диэлектриком (обычно это оксид алюминия Al2O3 толщиной менее 2 нм), предполагает зависимость туннельного тока от магнитного поля. В ферромагнитном материале энергия электронов со «спином вверх» и «спином вниз» различная, поэтому и вероятность их туннелирования будет отличаться. Если магнитные моменты смежных ферромагнитных слоев направлены параллельно, проводимость магнитного туннельного перехода велика, а если намагниченности антипараллельны, то вероятность туннелирования мала.

Хотя эффект спин-зависимого туннелирования впервые был продемонстрирован еще в 1975 году, но для его реализации требовались температуры жидкого гелия, поэтому особого внимания на тот момент к нему не проявили. Ситуация изменилась в 1995 году, когда его удалось продемонстрировать при комнатной температуре. Поначалу, правда, спины в ферромагнитных слоях удавалось переключать с параллельного на антипараллельное состояние лишь для 12 – 18 % электронов, чего для практических устройств было не достаточно. Однако уже к концу 1990-х годов это соотношение удалось повысить до 70 %. К середине 2000-х годов новейшие технологии позволили добиться еще более высоких показателей, что открыло путь к коммерческому выпуску магниторезистивной оперативной памяти (MRAM).

MRAM-память выглядит весьма перспективной и многообещающей по сравнению с другими типами энергонезависимой памяти. Так, например, время выборки данных у MRAM-памяти может составлять 10 нс, что в пять раз меньше, чем у flash-памяти, а время записи порядка 2 нс, что на три порядка меньше, чем у flash-памяти. При этом энергопотребление магниторезистивной памяти вдвое меньше, чем у flash- и DRAM-памяти. Принцип записи лог. 1 и лог. 0 в MRAM иллюстрирует рис. 3.63. Два слоя ферромагнитного металла разделены тонким слоем изолирующего материала (оксид алюминия или оксид магния). Вероятность туннелрования электронов через диэлектрический слой зависит от их ориентации спинов. В случае параллельной ориентации (верхний рисунок) происходит запись лог. 1, в случае антипараллельной (нижний рисунок) производится запись лог. 0.

Рис. 3.63. К объяснению работы магниторезистивной оперативной памяти

Одна из сложнейших задач при разработке спинтронных приборов – это контроль спиновой поляризации электронного тока. Чтобы полностью контролировать степень свободы спина в полупроводниках, желательно конструировать элементы спинтроники или приборы на их основе, которые могут эффективно инжектировать и распознавать электроны с определенным спином. Таким образом, практическое значение имеют полупроводниковые структуры с высоким коэффициентом спин-инжекции, большим временем спин-релаксации, спин-ориентацией, регулируемой напряжением на управляющем электроде (затворе), и высокой спин-чувствительностью для детектирования носителей заряда с определенным спином. Кроме того, спин-инжекция и спин-детектирование предоставляют возможность записи и считывания данных в полупроводниковых квантовых точках, которые являются необходимой составной частью твердотельных квантовых компьютеров.

Читайте также:  Дрова на вай фай на ноутбук asus

Важным обстоятельством является то, что процесс переворота спина (поляризация) не связан со значительными затратами энергии и происходит очень быстро – за несколько пикосекунд. При изменении направления спина кинетическая энергия электрона не изменяется, поэтому процесс поляризации не сопровождается выделением тепла. Ожидается, что спинтронные элементы информатики и построенные из них устройства и системы будут иметь сверхвысокое быстродействие при затратах энергии значительно меньшей, чем у обычных электронных элементов.

Ученые из IBM Research и ведущего европейского образовательного и научно-исследовательского центра ETH Zurich впервые в истории получили изображения формирования стабильной спиновой спирали в полупроводнике.

­
­
­
­

«Обычно подобные спины электронов быстро меняют и теряют свою ориентацию. Но нам впервые удалось найти способ выравнивания их свойств в регулярный цикл смены спинов»
­
­
­
­
­
­

Немного о спинтронике

Спинтроника (или спиновая электроника) — достаточно молодая область современной физики, привлекающая многих исследователей многообещающими практическими применениями.
Ее отличие от традиционной электроники заключается в том, что если в обычном электрическом токе перемещаются заряды, то в электронике нового поколения перемещаются спины электронов.
Спин электрона (собственный момент импульса) − это внутренняя характеристика электрона, имеющая квантовую природу и не зависящая от движения электрона. Спин электрона может находиться в одном из двух состояний − либо «спин-вверх» (направление спина совпадает с направлением намагниченности магнитного материала), либо «спин-вниз» (спин и намагниченность разно-направлены).

«Вращение» электрона и его верхней и нижней ориентации кодирует логические биты в системе. При кодировании битов ученые предлагают ориентироваться на физическое пространство, в котором находится электрон. Электрон, ось которого направлена условно вверх, принимают за логическую единицу, а электрон, ось которого направлена условно вниз — за логический ноль.

В чем состоит миссия спинтроники?
В ближайшие десять-пятнадцать лет кремниевые процессоры достигнут предела своих возможностей. Поэтому уже сейчас ученые ищут новые физические принципы, на которых будут построены быстродействующие устройства с низким энергопотреблением и тепловыделением.
В спинтронных устройствах переворот спина практически не требует затрат энергии, а в промежутках между операциями устройство отключается от источника питания. Если изменить направление спина, то кинетическая энергия электрона не изменится. Это означает, что тепла почти не выделяется.
Специалисты выделяют три главных направления развития спинтроники: квантовый компьютер, спиновый полевой транзистор и спиновая память.
По словам ученых из IBM, электроны очень быстро меняют спины – на переключение тратится около 100 пикосекунд (1 пикосекунда – одна триллионная доля секунды). И в этом заключается основная проблема – 100 пикосекунд недостаточно, чтобы микросхемы успели зафиксировать изменение состояния в системе.

Несмотря ни на что

Исследователи из IBM разработали метод синхронизации электронов, увеличив время спина в 30 раз — до 1 наносекунды (что равняется циклу микропроцессора с частотой 1 Гигагерц).
­

­
­
­
­
­

Внимание ученых привлек ранее не описанный физиками факт – при вращении электронов в полупроводниках их спины перемещаются на десятки микрометров, при этом синхронно вращаясь, подобно вальсирующим парам.
­
­
­

«Если в начале круга в вальсе лица всех женщин обращены в одну сторону, то уже через некоторое время вращающиеся пары окажутся смотрящими в разных направлениях.
Теперь же мы получили возможность зафиксировать скорость вращения танцоров и привязать ее к направлению их перемещения. Получается идеальная хореография – лица всех танцующих женщин в определенной области площадки направлены в одну сторону».

В лабораториях IBM Research ученые использовали ультракороткие лазерные импульсы для наблюдения за перемещениями тысяч спинов электронов, которые были запущены во вращение одновременно в пределах сверхмалой области.
Исследователи IBM применили методику сканирующего микроскопа с временным разрешением и получили изображения синхронного «вальса» спинов электронов. Синхронизация вращения спинов электронов позволила наблюдать их перемещение на расстояния более 10 микрон (одной сотой миллиметра), что увеличило возможность использования спина для обработки логических операций – быстрой и экономной с точки зрения потребления энергии.
­

Причиной синхронного движения спинов является так называемое спин-орбитальное взаимодействие, физический механизм, который связывает спин с движением электрона. Экспериментальный полупроводниковый образец был изготовлен на основе арсенида галлия (GaAs) учеными из ETH Zurich. Арсенид галлия, полупроводник группы III/V, широко используется в производстве таких устройств, как интегральные микросхемы, инфракрасные светодиоды и высокоэффективные солнечные элементы.

Выход спиновой электроники из лабораторий на рынок по-прежнему остается чрезвычайно сложной задачей. Сегодняшние исследования осуществляются при очень низких температурах, при которых спины электронов минимально взаимодействуют с окружающей средой. В частности, описываемая здесь исследовательская работа проводилась учеными IBM при температуре 40 градусов Кельвина (-233 по Цельсию или -387 по Фаренгейту).
Но, в любом случае, новое открытие дает контроль над движением магнитных «зарядов» в полупроводниковых устройствах и открывает новые возможности и перспективы для создания малогабаритной и энергосберегающей электроники.

Комментировать
1 просмотров
Комментариев нет, будьте первым кто его оставит

Это интересно
No Image Компьютеры
0 комментариев
No Image Компьютеры
0 комментариев
No Image Компьютеры
0 комментариев
No Image Компьютеры
0 комментариев
Adblock detector